高能对应离子注入设备SOPHI-400

高能对应离子注入设备SOPHI-400

可对应至2400KeV的高能离子注入装置。

产品特性 / Product characteristics

• 枚叶式

• 可对应薄片Wafer

• 平行Beam

产品应用 / Product application

 •       功率器件相关薄片基板工艺、IGBT工艺

可对应低速高浓度的离子注入设备SOPHI-30

低加速、高浓度对应的离子注入设备。

产品特性 / Product characteristics

• 枚叶式

• 可对应薄片

• 非质量分离机的对比优点

         1)对应低加速.高浓度的好产能离子注入设备

         2)相比过去约一半的低价

         3)相比过往设备占用面积为1/3的紧凑型设计

产品应用 / Product application

• Power Device等薄片基板工艺、IGBT工艺

产品参数 / Product parameters

 • 基板尺寸：Max200mm