SiC用高温离子注入设备 IH-860

针对SiC功率器件工艺制程中离子注入和激活退火的技术难题，利用爱发科公司自行设计并开发的高温离子注入设备（ULVAC，IH-860DSIC）、碳膜溅射设备（ULVAC，SME-200）和高温激活退火设备（ULVAC，PFS-6000-25）。通过计算模拟、AFM对比结果、Hall电阻测定和RHEED图像分析等表征手段，研究了高温高能多步注入、碳膜覆盖技术和退火温度分别对SiC器件的物理特性、表面特性及电学特性的影响。结果表明，采用500℃A1离子注入浓度为5×10^18cm^-3、20nm厚碳膜溅射技术和1700～2000℃激活退火技术，能够实现具有良好表面特性和电学特性的P型SiC掺杂工艺。设备的稳定性已在多条SiC生产线上用于制造SiC—SBD器件和SiC．MOSFET器件完成工艺验证。

实现了支持SiC的高注入能量
 
此次的设备除吞吐量之外，还克服了量产所需的另一个条件。作为SiC晶圆，注入离子时在使晶圆保持高温的同时，还需要加大注入能量。其原因在于，在离子注入完成后为消除结晶缺陷而进行退火处理时离子不易扩散，因此注入时需要给底板的表面至深处都注入离子。此次的设备将注入能量由过去的约400keV提高到了700keV，达到了量产所要求的水平。

离子注入设备

SiC用高温离子注入设备 IH-860DSIC

 搭载了高温ESC（静电吸附卡盘）的面向SiC量产用的高能粒子注入装置。

产品特性 / Product characteristics

• 可实现自动连续高温处理注入

• 1价离子可注入至350keV、2价离子可注入至700keV

       （Option：1价离子可注入至430keV、2价离子可注入至860keV）

• 通过Dual-End-Station（双工位）实现高产能；

       （A系4"高温ESC/B系3"高温ESC、A系6"高温ESC/B系6"常温ESC等等，可配合客户的希望就行规格配置）

• 可减轻操作员的负担

•      紧凑式设计

• 可大范围对应从试作到量产的各类需求

产品应用 / Product application

•  对应SiC的离子注入装置。

研究开发用中电流离子注入设备IMX-3500

中电流离子注入装置IMX-3500为能量200keV、对应晶圆尺寸8inch的离子注入装置，适用于大学等机构的研究开发。

产品特性 / Product characteristics

•       晶圆尺寸8inch，搭载了可对应不定形基板的台板。

• 离子源，除Gas source之外，另外可以使用安全方面更容易处理的B、P、As离子等固体蒸发源。

• HV terminal的部分，与量产装置是同样的构成，可确保高信赖性。

产品应用 / Product application

 •      教育、研究开发等

高能对应离子注入设备SOPHI-400

可对应至2400KeV的高能离子注入装置。

产品特性 / Product characteristics

• 枚叶式

• 可对应薄片Wafer

• 平行Beam

产品应用 / Product application

 •       功率器件相关薄片基板工艺、IGBT工艺

可对应低速高浓度的离子注入设备SOPHI-30

低加速、高浓度对应的离子注入设备。

产品特性 / Product characteristics

• 枚叶式

• 可对应薄片

• 非质量分离机的对比优点

         1)对应低加速.高浓度的好产能离子注入设备

         2)相比过去约一半的低价

         3)相比过往设备占用面积为1/3的紧凑型设计

产品应用 / Product application

• Power Device等薄片基板工艺、IGBT工艺

产品参数 / Product parameters

 • 基板尺寸：Max200mm