研究开发用中电流离子注入设备IMX-3500

针对SiC功率器件工艺制程中离子注入和激活退火的技术难题，利用爱发科公司自行设计并开发的高温离子注入设备（ULVAC，IH-860DSIC）、碳膜溅射设备（ULVAC，SME-200）和高温激活退火设备（ULVAC，PFS-6000-25）。通过计算模拟、AFM对比结果、Hall电阻测定和RHEED图像分析等表征手段，研究了高温高能多步注入、碳膜覆盖技术和退火温度分别对SiC器件的物理特性、表面特性及电学特性的影响。结果表明，采用500℃A1离子注入浓度为5×10^18cm^-3、20nm厚碳膜溅射技术和1700～2000℃激活退火技术，能够实现具有良好表面特性和电学特性的P型SiC掺杂工艺。设备的稳定性已在多条SiC生产线上用于制造SiC—SBD器件和SiC．MOSFET器件完成工艺验证。

研究开发用中电流离子注入设备IMX-3500

中电流离子注入装置IMX-3500为能量200keV、对应晶圆尺寸8inch的离子注入装置，适用于大学等机构的研究开发。

产品特性 / Product characteristics

•       晶圆尺寸8inch，搭载了可对应不定形基板的台板。

• 离子源，除Gas source之外，另外可以使用安全方面更容易处理的B、P、As离子等固体蒸发源。

• HV terminal的部分，与量产装置是同样的构成，可确保高信赖性。

产品应用 / Product application

 •      教育、研究开发等